技术编号:12040131
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及过流保护技术领域,尤其涉及一种过流检测及保护电路。背景技术功率管如金属-氧化层-半导体-场效应晶体管MOSFET由于具有输入阻抗大、导通压降小等诸多优点而被应用于驱动电路中。然而,当流经MOSFET的电流过大时,由于其内阻的存在,会导致功率过大而损坏器件。针对上述问题,现有技术通常采用如下解决方案:电流检测电路检测流经MOSFET的电流,电流检测电路检测的电流超出一设定值时,向微控制单元(MicroControlUnit,MCU)发送过流信号,MCU接收到过流信号后将MOSFET关断。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。