技术编号:12040870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件的制作方法、清洗方法和清洗系统。背景技术随着半导体集成电路技术的不断发展,半导体器件尺寸和互连结构尺寸不断减小,从而导致金属连线之间的间距在逐渐缩小,用于隔离金属连线之间的层间介质层也变得越来越薄,这样会导致金属连线之间可能会发生串扰。现在,通过降低金属连线层间的层间介质层的介电常数,可有效地降低这种串扰,且低K的层间介质层可有效地降低金属连线层间的电阻电容延迟(RCdelay),因此,低K介电材料和超低K介电材料已越来越广泛地应用于互连工艺的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。