技术编号：12040888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种注入装置的离子源和离子注入方法。背景技术离子注入是一种在半导体技术中将杂质材料选择性的注入到半导体材料中的技术。杂质材料在电离腔中被离子化，将这些离子加速以形成具有设定能量的离子束，离子束轰击晶圆表面，并进入晶圆中，到达与能量相关的深度处。离子注入机通常将气体或固体的杂质材料在起弧腔中转化为等离子体，然后将等离子体从起弧腔中引出，形成离子束，该离子束可被进行质量分析以消除不想要的离子种类，并加速至预期的能量，并导引至晶圆表面。参考图1，图1为现有技术注入装置...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。