技术编号:12040901
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种图案的形成方法。背景技术在半导体技术领域,为提高半导体器件的性能和降低生产成本,集成电路的集成度越来越高,集成电路上的晶体管的特征尺寸越来越小。据此,在具体生产中就需要提供更精密的技术,在半导体衬底上形成更精细的图案。在现有技术中,光刻技术可以在衬底上定义并形成半导体器件的图案,并得到广泛应用。但是,随着半导体工艺节点进入到65纳米、45纳米,甚至更低的32纳米,当光刻技术中曝光线条的特征尺寸接近于曝光系统的理论分辨极限时,衬底表面的成像就会发生严重的畸变,...
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