技术编号:12040925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术随着集成电路制造技术的快速发展,促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小,以此满足集成电路发展的小型化和集成化的要求。在半导体器件的尺寸持续缩小的过程中,形成用于半导体器件之间电互联的导电插塞的工艺也受到了挑战,进而影响半导体器件的性能。图1至图4是现有技术中,电连接晶体管的源区或漏区的导电插塞的形成过程的剖面结构示意图,包括:请参考图1,提供半导体衬底100,所述半导体衬底100表面具有栅极结构101,所述栅极结构101...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。