技术编号：12041157
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及一种半导体器件的形成方法。背景技术半导体工业已经经历了指数式增长。光刻清晰度的持续发展也连续跑在了前面，以支持90nm～65nm、45nm、32nm、22nm、16nm及以下的临界尺寸(CD)。已经开发了光刻的新技术，诸如浸没式光刻、多重图案化、极紫外(EUV)光刻和电子束光刻。由新光刻技术提出的挑战不仅在于分辨率，还在于经济上(例如，升级成本和生产损耗)。许多发展集中于将现有光刻技术扩展至下一技术的产生。发明内容根据本发明的一个方面，提供了一种方法，...
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