技术编号：12041545
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造测量领域，且特别涉及一种角分辨散射测量装置及其测量方法。背景技术随着半导体关键尺寸的不断减小，对关键尺寸的均匀性(CDU)的要求越来越严格。为了监测光刻工艺条件的变化以及实现更先进的光刻工艺控制，开发一种快速、准确的光刻胶形貌(关键尺寸CD、高度Height、侧壁角度SWA)测量技术显得尤为重要。针对这样的需求，各种微结构形貌测量技术发展起来，例如关键尺寸扫描电子显微镜CD-SEM，原子力显微镜AFM，场发射扫描式电子显微镜FE-SEM以及散射测量技术。在这些测量技术之中，前...
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