技术编号：12056983
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种磁控管的安装机构及磁控溅射设备。背景技术磁控溅射技术是一类常见的物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术，其特点是在靶材的背部设置磁控管，用于提供可穿过靶材的磁场，该磁场在工艺腔室内对等离子体中的电子形成磁场束缚，使其沿着磁力线作螺旋运动，从而可以延长电子运动轨迹，并提高电子对工艺气体的电离几率，进而达到增加溅射产额的目的。磁控管与靶材之间的间距称为靶间距，若靶间距过大，则会使穿过靶材的磁场强度过低，导致膜层沉积速率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。