技术编号:12062329
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备技术,具体是一种功率芯片用外延片生产工艺。背景技术目前功率芯片应用越来越广泛,对其性能也提出了更高要求,作为功率芯片用外延片生产工艺的重要组成部分,硅外延片的性能越来越受到人们的重视。现今在制备硅外延片时硅片内热场分布不均匀,且存在衬底杂质固态扩散和自然掺杂现象,这导致制备的硅外延片厚度均匀性和电阻率均匀性差。如何对现有硅外延片制备工艺做出改进,以提升硅外延片的厚度均匀性和电阻率均匀性,这成为目前人们普遍关注的问题,然而,现今没有相应的工艺,也未见相关的报道。发明内容本发...
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