技术编号:12065868
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体地说是一种在硅衬底上,尤其是在八英寸硅衬底上采用碳纳米管制备高电子迁移率场效应晶体管的方法。背景技术高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),又称调制掺杂场效应晶体管(MODFET,modulation-dopedfieldeffecttransistor),是一种以衬底材料与另一种宽带材料形成的异质界面的二维电子气导电的场效应晶体管(FET)。因其沟道中无杂质,基本上不存在电离杂质散射对电子运动的影响,因此电子迁移率更高而得名。HEMT的工作原理是通过控制删极电压的变...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。