技术编号：12065874
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，具体涉及一种利用二氧化锡催化生长Si纳米线的方法。背景技术纳米线是指作为各种半导体纳米结构物之一，具有纳米级尺寸的线结构体。根据不同的生长机理，制备硅纳米线的方法主要分为以下几种：(1)金属催化气-液-固(VLS)生长硅纳米线在硅源中加入Fe、Ni、Au、Ag等金属催化剂，依据VLS生长原理采用激光烧蚀、热蒸发法、化学气相沉积法制备出大量硅纳米线。(2)氧化物辅助生长硅纳米线，但是在以金属或金属氧化物为催化剂制备硅纳米线的过程中，发现并不是每一根硅纳米线的顶端都...
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