技术编号：12065882
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造电子器件的方法和由此得到的电子器件，电子器件特别地是HEMT晶体管(高电子迁移率晶体管)。背景技术本领域已知的是具有异质结构的HEMT晶体管，特别地由氮化镓(GaN)和铝镓氮(AlGaN)制成。例如，HEMT器件由于它们的高击穿阈值而适合用作功率开关。此外，HEMT晶体管的导电沟道中的高电流密度使得能够得到导电沟道的低通态电阻(RON)。为了支持HEMT晶体管在高功率应用中的使用，已经引入具有常关沟道的HEMT晶体管。具有凹入栅极端子的HEMT器件已经证实特别有利于用作具有常关...
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