技术编号:12065885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作技术领域,特别涉及一种半导体器件的形成方法。背景技术集成电路尤其超大规模集成电路的主要半导体器件是金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET,Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor),简称场效应管。半导体器件的工作特性是由许多不同的场效应管的构造所决定的,包括栅介质层的厚度。其中,场效应管工作电压的上限,主要与栅介质层可承受的击穿电压有关,所述击穿电压主要决定与栅介质层的等效氧化物厚度(EOT,EquivalentOxi...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。