技术编号:12065959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及芯片封装件及其制造方法。背景技术在封装技术方面,再分布层(RDL)可以形成在芯片上方并且电连接至芯片中的有源器件。之后,可以形成诸如凸块下金属(UBM)上的焊料球的输入/输出(I/O)连接器以通过RDL电连接至芯片。这种封装技术的优势特征在于形成扇出封装件的可能性。因此,芯片上的I/O焊盘可以再分布以覆盖比芯片更大的面积,并且因此可以增加封装的芯片的表面上包装的I/O焊盘的数量。集成扇出(InFO)封装技术变得越来越流行,尤其当与晶圆级封装(WLP)...
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