技术编号:12065993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种通道结构,且特别是有关于一种垂直通道结构。背景技术随着科技日新月异,电子元件的进步增加了对更大储存能力的需要。为了满足高储存密度(highstoragedensity)的需求,存储器元件尺寸变得更小而且集成度更高。因此,存储器元件的型态已从平面型栅极(planargate)结构的二维存储器元件(2Dmemorydevice)发展到具有垂直通道(verticalchannel,VC)结构的三维存储器元件(3Dmemorydevice)。在具有垂直通道结构的三维存储器元件的制作过程...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。