技术编号:12066037
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非晶氧化物半导体薄膜,尤其涉及一种p型非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法。背景技术薄膜晶体管(TFT)是微电子特别是显示工程领域的核心技术之一。目前,TFT主要是基于非晶硅(a-Si)技术,但是a-SiTFT是不透光的,光敏性强,需要加掩膜层,显示屏的像素开口率低,限制了显示性能,而且a-Si迁移率较低(~2cm2/Vs),不能满足一些应用需求。基于多晶硅(p-Si)技术的TFT虽然迁移率高,但是器件均匀性较差,而且制作成本高,这限制了它的应用。此外,有机半导体薄膜晶体管(OTFT)...
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