技术编号:12066050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及IGBT技术领域,尤其涉及一种IGBT及其制作方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT)是一种压控型功率器件,兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管,简称GTR)的低导通压降两方面的优点,由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低的优点,目前IGBT作为一种高压开关被广泛应用到各个领域。如图1和图2所示,IGBT包括有源区01和环绕在所述有源区01四周的终端区02,其中,所述终端区02的作用是提高所述I...
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