技术编号：12066054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域，特别涉及一种T型结构纳米栅半导体器件，可用于通讯，卫星导航，雷达系统和基站系统中。背景技术随着科技水平提高，Si、GaAs这些第一、二代半导体材料无法满足更高频率、更高功率电子器件的需求，基于氮化物半导体材料的电子器件则可满足这一要求，大大提高了器件性能，使得以GaN为代表的第三代半导体材料在微波毫米波器件制造中有了广泛的应用。GaN是宽禁带材料，具有电子饱和速度高、击穿场强高、导热性好、抗辐照的特点，且在AlGaN/GaN界面上存在自发极化和压电极化等物理效应，其二维...
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