技术编号:12066058
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件及制作工艺,特别是一种具有源极与漏极差排(sourceanddraindislocation)的栅极全包覆式(Gate-All-Around,GAA)纳米线(nanowire)场效晶体管装置及其制作方法。背景技术已知,在金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管的通道区域诱导适当类型的应力,能够提高载流子迁移,从而增加驱动电流。通常情况下,优选是在NMOS元件通道区域的源极-漏极方向诱导拉伸应力,并在PMOS元件的通道区域的源极-漏极方向诱导压缩应力。应力扭曲半导体晶体晶格,从...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。