技术编号:12066077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种光调制的二极管和功率电路。背景技术功率二极管的结构简单,在整流电路、逆变器等功率电路中有广泛应用。为了提高功率二极管的反向耐压特性,即提高其反向击穿电压,往往需要掺杂浓度较低的半导体层形成pn结或者肖特基结,这也造成其导通时的正向压降大,即正向特性变差。氮化镓(GaN)宽禁带直接带隙材料具有高硬度、高热导率、高电子迁移率、稳定的化学性质、较小的介电常数和耐高温等优点,所以GaN在发光二极管、高频、高温、抗辐射、高压等电力电子器件中有着广泛的应用和巨大的前...
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