技术编号：12066093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料及器件领域，涉及一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的短波/中波双色红外探测器。背景技术红外探测器由于自身优异的性能已经广泛应用于战略预警、导弹导引头、激光雷达、夜视、遥感、医学、大气监测等军民两用领域。随着探测技术的发展和对探测效果要求的提高，当前红外探测技术向着获取更多目标信息的方向发展，从而对红外探测器的性能提出了更高要求，如大面阵、更高的热分辨率、多波段（或多色）探测、高工作温度、重量轻、易于维护等特性，这些要求成为第三代新型红外探测器的基本要求和特征。目前，国内外第三...
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