技术编号:12066150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高压LED芯片设计技术领域,具体为一种高压LED芯片制备方法。背景技术高压LED芯片是通过在芯片级别,将两颗及以上的独立管芯进行电路串联,从而芯片在使用时的电压增高(独立管芯电压*串联颗数)。高压LED芯片关键技术包括:氮化镓深刻蚀(ISO)工艺、P-SiO2电流阻挡层(CBL)工艺和金属搭接工艺。氮化镓深刻蚀(ISO)工艺主要是使得串联的管芯之间进行隔离,形成独立管芯。电流阻挡层(CBL)工艺在高压芯片中可起到防止后续金属搭接工艺导致管芯短路的作用。金属搭接工艺使得深刻蚀(ISO)后...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。