技术编号:12067586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于D触发器技术领域,尤其涉及一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器。背景技术宇宙空间中存在大量高能粒子(质子、电子、重离子等),集成电路中的时序电路受到这些高能粒子轰击后,其保持的状态有可能发生翻转,此效应称为单粒子翻转效应,单粒子轰击集成电路的LET(线性能量转移)值越高,越容易产生单粒子翻转效应。集成电路中的组合电路受到这些高能粒子轰击后,有可能产生瞬时电脉冲,此效应称为单粒子瞬态效应,单粒子轰击集成电路的LET值越高,产生的瞬时电脉冲持续时间越长,电脉冲越容易被时序电路采集。如果时序电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。