技术编号:12067591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及用于偏置在使用中可暴露于低频或直流(DC)信号的晶体管开关的方法和装置。晶体管开关也可以通过高频分量,例如射频(RF)或微波信号。晶体管开关可暴露于具有相对高功率电平的信号。背景技术已知使用通常由场效应晶体管(FET)形成的电控开关来控制信号从一个位置到另一个位置的传播。FET的阻抗通常由其栅极和源极端子之间的栅极到源极电压控制。栅极电压通常从控制电路导出,因此经常被限制为在对应于具有开关“导通”和具有开关“关断”的两个值之间切换。作为该约束的结果,FET的源极端子处的DC电压的变化具...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。