技术编号:12070605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及碳化硅外延基板。背景技术日本特开2014-17439号公报(专利文献1)公开了可以用于碳化硅的外延生长的CVD(化学气相沉积)装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-17439号公报发明内容本公开的碳化硅外延基板包含:碳化硅单晶基板;和在所述碳化硅单晶基板上的外延层。所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径。所述外延层具有10μm以上的厚度。所述外延层具有1×1014cm-3以上且1×1016cm-3以下的载流子浓度。所述外延层的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的...
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