技术编号:12071460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及信号传送绝缘设备以及具备该信号传送绝缘设备的功率半导体模块。背景技术就以往的具有薄膜变压器构造的信号传送绝缘设备而言,已知如下的设备:在设置于半导体基板的凹部的底部形成下侧线圈,用液态的聚酰亚胺树脂填充凹部并使其固化,从而形成第1绝缘膜,并在其上形成上侧线圈,调整第1绝缘膜的厚度,从而确保下侧线圈与上侧线圈之间的绝缘耐压(参照例如专利文献1)。在这样的具有薄膜变压器构造的信号传送绝缘设备中,在对上侧线圈以及下侧线圈施加了电压的情况下,在上侧线圈以及下侧线圈各自的角部处发生电场集中。另外...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。