技术编号:12086562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备超细氮化铝粉末的方法,具体地说是涉及一种低温低压制备超细氮化铝粉末的方法。背景技术随着现代电子技术的飞速发展,要求整机朝着微型化、轻型化、高集成度和高可靠性方向发展,但同时器件愈来愈复杂,将导致基片尺寸增大和集成度提高,使得基片功率耗散增加,因此,基片的散热和材料的选择成为重要的研究课题。AlN陶瓷的导热系数比Al2O3陶瓷高8~10倍,其体积电阻率、击穿场强、介电损耗等电气性能可与Al2O3陶瓷媲美,且介电常数低、机械强度高,热膨胀系数接近硅,可进行多层布线,被视为新一代具有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。