技术编号:12087233
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二硫化钨纳米材料的合成技术领域,具体涉及一种单层二硫化钨纳米片的制备方法。背景技术二硫化钨与二硫化钼结构相同,都是典型的三明治层状结构,由于其层间相对较弱的范德华力,也可以剥离成单层或少层数的纳米片,被认为是另外一种相当重要的二维纳米片材料,具有独特的物理、化学和电学特性。二硫化钨与二硫化钼相同,都存在三种相态,即1T、2H和3R相。不同的相态的二硫化钨材料所呈现的物理化学特性也不尽相同。例如,2H态材料展现半导体特性,而1T态的二硫化钨材料则呈现出金属特性。虽然单层二硫化钨纳米材料在...
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