技术编号：12088720
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氘气装置领域，尤其是光纤生产中的氘气装置，具体涉及一种氘气处理装置。背景技术经过大量的研究表明，氢分子进入光纤芯层后，在1330、1440和1530nm处出现明显的吸收峰，这种吸收峰是暂时的，芯层中氢分子消失后也会随着消失，但是在1383nm处形成的吸收峰会永久残留在光纤中，影响光纤的传输特性。因此，需要将1383nm处的氢耗损处理掉来保证光纤质量。一般采用氘气处理设备来消除光纤氢敏感性，但是现在常用的氘气处理设备存在以下问题：1、传统的氘气处理设备一般采用直接通入氘气和氮气的方式，两...
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