技术编号:12099305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及钽铝靶技术领域,尤其涉及一种钽铝靶的生产工艺。背景技术钽铝靶是一种背板为铝合金,应用于半导体领域的钽靶。钽铝靶的铝合金背板原材料硬度较低,而半导体溅射机台使用时需要的硬度较高,因此需对钽铝靶背板进行适当的处理以使其背板硬度达到要求。传统工艺中,钽铝靶是将钽靶与铝背板通过焊接得到的,钽铝靶的热等静压焊接温度在400~550℃,铝合金背板固溶热处理温度为450~550℃,时效热处理温度为150~220℃。为了使钽铝靶的铝背板硬度达到客户要求,若将铝背板先经过固溶时效硬度提高后再进行热等静压...
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