技术编号:12101562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及磁控溅射技术领域,具体是一种能够提高靶材利用率与靶材磁场均匀性的双闭环磁控溅射阴极。背景技术物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,简称PVD),是一种利用物理方式在基材上沉积薄膜的技术。磁控溅射镀膜技术是物理气相沉积技术的一种,在磁控溅射镀膜技术中,高能离子轰击靶材表面,靶材表面离子或原子与入射的高能离子交换能量后从靶材表面飞溅出来,并在基材上沉积成膜。目前,在磁控溅射镀膜技术应用领域,广泛使用的是平面磁控溅射阴极。现有的平面磁控溅射阴极一般包括靶材、磁体装...
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