技术编号：12101580
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体处理装置，尤其涉及一种喷淋头及包含所述喷淋头的等离子体处理装置。背景技术在现有等离子体处理装置中，大多是通过在反应腔室中形成的等离子体对衬底进行等离子体处理。装置中通常将喷淋头作为上极板、载物台作为下电极来使用。进行等离子体处理时，喷淋头先以喷淋状将气体输送至载物台上的衬底，真空泵再将从载物台周围的气体均匀的排出，然后控压装置进行稳压处理，最后在喷淋头上极板和载物台下电极之间施加电压，以形成等离子体对衬底进行等离子处理。在上述工艺过程中，因所使用的喷淋头的通气孔的结构各处...
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