技术编号:12110086
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种用于MOCVD设备的喷淋头。背景技术金属有机物化学沉积(MOCVD)技术是生长高质量化合物半导体薄膜材料的重要技术手段,在制备薄层异质结、超晶格和量子阱等结构具有显著的优越性,已经成为III-V族和II-VI族化合物半导体及其多元固溶体材料的核心生长技术,尤其在制备氮化镓基发光二极管和激光器等方面获得巨大成功。目前,主流的MOCVD设备根据气流通道设计可分为水平式和垂直式反应腔,其中:水平式反应腔设计主要以Aixtron公司的行星式反应腔为代表,其采用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。