技术编号:12110432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶生长设备技术领域,具体涉及一种熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉。背景技术VGF(verticalgradientfreeze,VGF)法即垂直梯度冷凝法是由美国学者Sonnenberg等人开发的一项专利技术。近年来,国内外的科研人员对VGF法生长单晶进行了大量的实验研究,并取得了诸多的成果。美国贝尔实验室的Monberg等人利用VGF法生长了磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)晶体,首次将VGF技术应用于半导体化合物单晶生长。随着VGF技术的不断改进,更多的半导体单晶被生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。