技术编号：12110458
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶材料生长技术领域，具体涉及一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法。以消除真空蒸发作用对单晶生长的影响。背景技术利用真空区熔工艺可有效去除硅材料中的硼、磷、氧、碳等杂质，并最大限度地保持材料的纯度，因而在真空环境中生长的高阻区熔硅单晶材料是某些高灵敏度探测器研制的重要基础材料。由于真空区熔硅单晶具有极低的氧杂质含量（低于5×1015at/cm3），因此基础消除了硅-氧键在9µm波长附近产生的晶格振动吸收，使得这种硅单晶材料在（8～12）µm波段的透过率得到明显改善，从而使其...
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