技术编号:12112852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种透射电镜样品的制作方法。背景技术透射电镜(transmissionelectronmicroscope,TEM)作为电子显微学的重要工具,通常用以观测材料的微观结构,包括晶体形貌、微孔尺寸、多相结晶和晶格缺陷等,其点分辨率可达到0.1nm。所述透射电镜的工作原理如下:将需检测的透射电镜样品(TEM样品)放入TEM观测室,以高压加速的电子束照射所述TEM样品,将TEM样品的形貌放大投影到屏幕上,照相,然后进行分析。在半导体工艺中,常常需要制取平面TEM样品...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。