技术编号:12117877
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源。背景技术基准电压源是模拟集成电路和混合集成电路中不可或缺的一个模块,并广泛的应用在模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、DC-DC转换器以及功率放大器等电路系统中,用以产生不受电源电压和温度变化影响的直流电压。传统基准电压源由于需要大的电流而造成功耗较大,并且在设计过程中需要使用电阻、二极管或者BJT晶体管来产生PTAT电压,所以该器件需要大的芯片面积。为了能使节能应用器件的其余电路兼容,基准电压源就要使用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。