技术编号:12121483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体集成电路的电容器相关申请的交叉引用本申请引用2016年1月11日递交的第10-2016-0003347号韩国专利申请、主张所述韩国专利申请的优先权并主张所述韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的内容在此以全文引入的方式并入本文中。技术领域本实用新型包含的实施例涉及一种半导体集成电路的电容器,且更具体地说,涉及一种半导体集成电路的金属-绝缘体-金属类型电容器,所述半导体集成电路的金属-绝缘体-金属类型电容器能够提高电容器的电极层与介电层之间的粘附力。背景技术一般来说,半导体集成电路(例如,存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。