技术编号：12128162
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及CMOS电路技术领域，尤其涉及一种CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)逻辑电单元、逻辑电路、栅极驱动电路和显示装置。背景技术现有的CMOS驱动单元包括第一PMOS管和第一NMOS管，当CMOS驱动单元的输入端接入低电平时，CMOS驱动单元的输出端输出高电平，此时该第一PMOS管存在寄生二极管，该第一NMOS管存在寄生二极管。现有的CMOS驱动单元在其输入端接入低电平时由于该第一NMOS管的漏电流、以及该PMOS寄生二...
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