技术编号:12128676
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种闪存及其电流比较读出电路,特别是涉及一种采用带隙基准源的嵌入式闪存(Eflash)及其电流比较读出电路。背景技术图1为一般闪存结构,包括存储器阵列(Memoryarray)101、行译码(未示出)、列译码(CMUX)102、电流比较器读出电路(Currentcomparator)103,存储器阵列中每行字线WL/WLS与每列的位线Bitline相交处对应一存储单元bitcell,存储器阵列中每行字线WL/WLS与参考位线RefBitline相交处对应一参考存储单元Refbitcel...
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