技术编号:12128690
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及闪存存储系统,并更具体地,涉及用于闪存装置的优化操作参数。背景技术诸如固态驱动器(SSD)的闪存存储系统使用闪存作为非易失性储存介质。闪存存储系统可包括多个闪存装置。闪存装置当存储数据时被编程(例如,写入),并且当释放闪存装置上的空间时被擦除。闪存装置具有在变为不可使用之前闪存装置能经受的有限数目的编程/擦除(P/E)周期。编程电压和其他操作参数可进一步影响闪存装置在故障之前能经受的P/E周期的数目。发明内容本技术通过基于闪存装置的预测寿命值确定操作参数,来优化闪存存储系统中的操作参数...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。