技术编号:12128739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于复合材料技术领域,具体涉及一种导电薄膜的制备方法。背景技术石墨烯材料具有超薄、强度超大、高比表面积、高热传导性、高透明、超载流子迁移率、可柔性等特点,有广泛的应用前景与潜力。常规的石墨烯导电薄膜的制备工艺是基于镍或铜为衬底上生长的,所以需要通过剥离、转移技术,将其转移到其他基底上。然而,扩大到一定的面积后,涉及镍或铜衬底要变的更大,成本增加;特别是在更大面积的膜层转移问题,技术难以突破。申请号为CN201510227685.8,名称为石墨烯导电薄膜的制备方法的发明专利,公开了一种石墨烯...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。