技术编号：12129230
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及离子束刻蚀设备，尤其涉及一种用于离子束刻蚀机的工件台。背景技术随着薄膜器件产能的增加及基片尺寸的增大，宽束条形离子源应用越来越多。刻蚀工艺时离子束能量轰击基片，造成基片温度过高。现有的工件台，基片、基片盘和基片台之间完全依靠热传导，但因为各零件表面粗糙度、平整度的原因，贴合效果并不佳，真空环境下未贴合位置热量很难传递到水冷基片台上，造成基片温度过高，尤其对于掩膜光刻胶而言，温度超过80℃时极易造成光刻胶碳化，最终形成不合格产品。宽束条形离子源在宽度方向上束流的不均匀、不稳定，也会造成刻...
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