技术编号:12129237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种离子注入设备及系统。背景技术离子注入技术是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面,当离子进入表面,将与固体中的原子碰撞,将其挤进内部,并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。离子注入在半导体技术中首先应用于掺杂技术,该技术可在低温环境中进行,并且还具有精确的剂量控制、掩蔽容易、均匀性好这些优点。经过离子注入工艺掺杂所制成的几十种半导体器件和集成电路具有速度快、功耗低、稳定性好、成品率高等特点。对于大规模、超大规模集成电路来说,离子注入更是一种理想的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。