技术编号:12129263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED制造技术领域,特别是涉及一种提高LED芯片发光效率的制备方法。背景技术发光二极管(LightEmittingDiode,简称LED)是一种半导体发光器件,利用半导体P-N结电致发光原理制成。LED具有能耗低,体积小、寿命长,稳定性好,响应快,发光波长稳定等好的光电性能,目前已经在照明、家电、显示屏、指示灯等领域有广范的应用。LED器件的结构主要包括n-GaN层、MQW(multiplequantumwell,量子阱)层、p-GaN层、透明导电薄膜层以及合金电极层等。其中,透明导电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。