技术编号:12129272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置的制造方法。背景技术例如IGBT(绝缘栅型双极晶体管)及MOSFET(MOS型场效应晶体管)等电力用半导体装置(功率器件)作为工业用电动机、汽车用电动机等的逆变器电路、大容量服务器的电源装置、以及不间断电源装置等的半导体开关而被广泛使用。在正背(frontandback)导通型的电力用半导体装置中,为了改善以导通特性等为代表的通电性能而将半导体衬底加工得较薄。近年来,为了成本方面、特性方面的改善,基于由FZ(FloatingZone)法而制作的晶片材料,使用薄型化至50μ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。