技术编号:12129289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种异质接面双极晶体管,特别是由磊晶生长于一砷化镓基板上的化合物半导体层所成于的一种伪晶型异质接面双极晶体管形。背景技术异质接面双极晶体管(heterojunctionbipolartransistor,以下缩写为HBT)是一种使用不同半导体材料以在发射极和基极之间形成一异质接面的双极晶体管(bipolarjunctiontransistor,BJT)。HBT的优点是高电流增益和低基极阻抗。此外,以化合物半导体层磊晶生长于一砷化镓基板上所制作的HBT(以下缩写为GaAsHBT),因为这...
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