技术编号:12129291
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及功率半导体器件技术领域,具体涉及一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件,特别适用于单片集成功率芯片,智能功率模块中。背景技术绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是MOS栅器件结构与双极型晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,同时具备MOS管与双极型晶体管的特点,具有良好的通态电流和开关损耗之间的折中关系。绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LateralInsulatedGateBipolarTransistor,SOI-LIGBT)是一种典型的基于SOI工艺的器件,具...
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