技术编号：12129293
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法。背景技术现有的电力半导体市场以硅的功率器件为主，过去20年，硅功率器件每隔十年提高5-6倍的电力密度，但已经接近理论极限，很难期待接下来的性能方面的改进。相比硅或砷化镓，GaN半导体具有能隙(Eg＝3.4eV)宽，高温中稳定等优点。另外，相对硅电力半导体，GaN电力半导体具有低温抵抗特性，这具有随着电力半导体而产生的转换损失最少化及系统消费电力最少化等优点。GaN半导体器件通过小型化，高电压，高速转换来实现低损失，高效...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。