技术编号:12129295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种形成鳍的方法及结构。背景技术随着集成电路工艺的不断发展,器件的沟道长度不断的缩短,出现的短沟道效应使得器件的电学性能不断恶化。英特尔在22nm技术节点引入鳍式场效应晶体管(Fin-FET)的立体器件结构,Fin-FET是具有鳍型沟道结构的晶体管,它利用薄鳍的几个表面作为沟道,从而可以防止传统晶体管中的短沟道效应,同时可以增大工作电流。现有技术中制备鳍(Fin)及层间介质层(STI)的过程主要包括:首先,进行刻蚀形成Fin,如图1A所示;填充SiO2介质材料并...
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